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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.3
- 수록면
- 21 - 26 (6page)
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High efficiency Cu(In,Ga)Se₂ solar cells are generally prepared above 500°C. Lowering the process temperature can allow wider selection of substrate material and process window. In this paper, the three-stage co-evaporation process widely used to grow CIGS thin film at high temperature was modified to reduce the maximum substrate temperature. Below 400°C the CIGS films show poor crystal growth and lower solar cell performance, in spite of external Na doping by NaF. As a new approach, Cu source instead of Cu with Se in the second stage was applied on the (In,Ga)₂Se₃ precursor at 400°C and achieved a better crystal growth. The distribution of Ga in the films produce by new method were investigated and solar cells were fabricated using these films.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험과정
3. 결과 및 논의
4. 결론
References
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