65-nm CMOS 공정을 이용한 24 GHz 전력증폭기 설계

서동인; 김준성; Cui Chenglin; 김병성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 서동인 (성균관대학교) 김준성 (성균관대학교) Cui Chenglin (성균관대학교) 김병성 (성균관대학교)

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌第27卷第10號(通卷第233號)

발행연도: 2016.10

수록면: 941 - 944 (4page)

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본 논문에서는 차량 충돌 방지 및 생활 감시용 근거리 레이다(Short Range Radar: SRR)를 위한 24 GHz 전력증폭기를 삼성 65-nm CMOS 공정을 이용하여 설계하였다. 제안한 회로는 2단 차동 전력증폭기로 공통소스 구조를 사용하고, 트랜스포머 구조를 사용하여 단일 대 차동변환, 임피던스 정합, 전력결합을 하였다. 측정결과, 24 GHz에서 15.5 dB의 최대 이득과 3.6 GHz의 3 dB 대역폭을 얻었다. 측정된 최대 출력 전력은 13.1 dBm, 입력 P1<SUB>dB</SUB>는 —4.72 dBm, 출력 P1<SUB>dB</SUB>는 9.78 dBm이며, 측정된 최대 전력 효율은 17.7 %이다. 본 전력증폭기는 1.2 V의 공급전원으로부터 74 mW의 DC 전력을 소모한다.

#Power Amplifier #CMOS #K Band

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[학술지(정기간행물)] - 장지영 / 2010 / 차량용 레이다 기술의 최근 발전 동향 / 대한전자공학회지 37 (5) : 72 ~ 83

[학술지(정기간행물)] - 민경원 / 2013 / 차량용 레이다 센서의 현황 및 연구개발 동향 / 전자공학회지 40 (6) : 28 ~ 38

[학술지(정기간행물)] - H. Doan / 2005 / Millimeter-wave CMOS design / IEEE J. Solid-State Circuits 40 (1) : 144 ~ 155

[학술지(정기간행물)] - Debopriyo Chowdhury / 2009 / Design considerations for 60 GHz transformer-coupled CMOS power amplifiers / IEEE J. Solid-State Circuits 44 (10) : 2733 ~ 2744

[학술지(정기간행물)] - Wanxin Ye / 2015 / A 65 nm CMOS power amplifier with peak PAE above 18.9% from 57 to 66 GHz using synthesized transformer-based matching network / IEEE Transactions on Circuits and Systems : 2533 ~ 2543

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