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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
안자현 (한국외국어대학교) 이성현 (한국외국어대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제53권 제12호 (통권 제469호)
발행연도
2016.12
수록면
15 - 19 (5page)

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매우 큰 사이즈를 가진 multi-finger RF MOSFET의 S<SUB>11</SUB>-parameter에서 스미스차트의 저항 circle 라인을 벗어나는 kink 현상의 게이트 바이어스 종속 특성이 관찰되었다. 이러한 바이어스 종속성은 S<SUB>11</SUB>-parameter의 크기와 위상, 입력저항, 입력 커패시턴스의 주파수 응답곡선을 측정하여 최초로 분석되었다. 그 결과 입력 커패시턴스의 크기와 입력저항의 dominant pole과 zero 주파수에 의해 V<SUB>gs</SUB> 종속 kink 현상이 크게 변하는 것을 알 수 있다. V<SUB>gs</SUB>=0V일 때 매우 적은 S<SUB>11</SUB>-parameter 위상차와 입력저항의 높은 pole 주파수에 의해 고주파영역에서 kink 현상이 나타난다. 하지만 V<SUB>gs</SUB>가 높아지면 S<SUB>11</SUB>-parameter 위상차가 크게 증가하고 pole 주파수가 낮아져 저주파영역에서 kink 현상이 발생하게 된다.
#RF #MOSFET #S< #SUB> #11< #/SUB> #-parameter #Kink phenomenon #Bias dependence

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전압종속 Kink 현상 및 원인 분석
Ⅲ. 결론
REFERENCES

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