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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
서권상 (부산대) 김동현 (부산대) 이호준 (부산대)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제66권 제2호
발행연도
2017.2
수록면
370 - 378 (9page)

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A fluid model of 2D axis-symmetry based on inductively coupled plasma (ICP) reactor using N₂/NH₃/SiH₄ gas mixture has been developed for hydrogenated silicon nitride (SiN<SUB>x</SUB> : H) deposition. The model was comprised of 62 species (electron, neutral, ions, and excitation species), 218 chemical reactions, and 45 surface reactions. The pressure (10~40 mTorr) and gas mixture ratio (N₂ 80~96 %, NH₃ 2~10 %, SiH₄ 2~10 %) were considered simulation variables and the input power fixed at 1000 W. Different distributions of electron, ions, and molecules density were observed with pressure. Although ionization rate of SiH₂⁺ is higher than SiH₃⁺ by electron direct reaction with SiH₄, the number density of SiH₃⁺ is higher than SiH₂⁺ in over 30 mTorr. Also, number density of NH+ and NH₄⁺ dramatically increased by pressure increase because these species are dominantly generated by gas phase reactions. The change of gas mixture ratio not affected electron density and temperature. With NH₃ and SiH₄ gases ratio increased, SiHx and NHx (except NH⁺ and NH₄⁺) ions and molecules are linearly increased. Number density of amino-silane molecules (SiH<SUB>x</SUB>(NH₂)<SUB>y</SUB>) were detected higher in conditions of high SiH<SUB>x</SUB> and NH<SUB>x</SUB> molecules density.

목차

Abstract
1. 서론
2. 시뮬레이션 조건 및 지배방정식
3. 시뮬레이션 결과 및 고찰
4. 결론
References

참고문헌 (25)

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