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저자정보
성민제 (Pohang University of Science and Technology) 강민재 (Pohang University of Science and Technology) 김홍기 (Pohang University of Science and Technology) 김성준 (Pohang University of Science and Technology) 이정윤 (Pohang University of Science and Technology) 이원범 (Pohang University of Science and Technology) 이남석 (Pohang University of Science and Technology) 신훈규 (Pohang University of Science and Technology)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제22권 제4호
발행연도
2018.12
수록면
1,234 - 1,237 (4page)

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본 논문에서는 planar MOSFET 대비 on 저항 감소 및 스위칭 속도 개선의 장점이 있는 4H-SiC trench MOSFET응용을 위하여 trench MOSFET 중요 이슈 중 하나인 sub-trench의 개선연구를 수행하였다. sub-trench의 제거를 위하여 Ar reshape 공정을 수행하였고, 온도와 공정시간을 변화해가며 trench 형태의 변화를 관찰하였다. 그 결과 1500℃, 20분 조건에서 가장 적절한 sub-trench 완화를 확인하였다. 또한 Ar reshape 공정 이후 건식/습식 산화공정을 진행하여 결정방향에 따른 산화막 두께변화에 대해 확인하였다.
#4H-SiC #Trench MOSFET #Sub-trench #Ar Reshape #Gate Oxide

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
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