선형성 개선을 위한 고효율 GaN-HEMT 이중대역 Doherty 전력 증폭기

우규식; 서철헌

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자료유형: 학술저널

저자정보: 우규식 (숭실대학교) 서철헌 (숭실대학교)

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제32권 제3호(통권 제286호)

발행연도: 2021.3

수록면: 209 - 214 (6page)

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본 논문은 2.4 ㎓와 3.5 ㎓ 대역에서 동작하는 고조파억제회로를 설계하여 2nd와 3rd 고조파를 −30 ㏈ 이하로 감쇄시켜 Doherty 전력 증폭기의 선형성을 개선하는 기법을 제시한다. 제안된 증폭기는 CREE社의 CGH 40006P GaN high electron mobility transistors (HEMTs)를 사용하여 주 증폭기와 보조 증폭기로 설계되었고 Wilkinson 전력 분배기를 통해 증폭기에 신호를 입력하였다. 제작된 전력 증폭기는 최대 출력전력구간에서 2.4 ㎓ 대역은 36.8 ㏈m 출력전력과 66.13 % 전력부가효율이 측정되고 3.5 ㎓ 대역은 36.1 ㏈m, 62.03 %로 측정되었다. 6 ㏈ 백오프 출력전력 구간에서 2.4 ㎓ 대역은 전력부가효율이 45.2 %, 3.5 ㎓ 대역에서는 36.7 %로 측정되었다.

#Doherty #Power Amplifier #Dual-Band #GaN HEMT #Harmonic Termination

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X. Chen / 2014 / A concurrent dual-band 1.9～2.6 GHz Doherty power amplifier with intermodulation impedance tuning / 2014 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS2014) :1~4

K. Rawat / 2011 / Design methodology for dual-band Doherty power amplifier with performance enhancement using dual-band offset lines / IEEE Transa-ctions on Industrial Electronics 59(12):4831~4842

X. Fu / 2014 / Novel dual-band matching network for effective design of concurrent dual-band power amplifiers / IEEE Transa-ctions on Circuits and Systems I : Regular Papers 61(1):293~301

M. Fan / 2016 / Design of a dual-band Doherty power amplifier utilizing improved combiner / 2016 IEEE International Conference on Computational Electromagnetics(ICCEM) :313~315

H. Zhang / 2008 / Designs of dual-band Wilkinson power dividers with flexible frequency ratios / 2008IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest :1223~1226

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