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김세현 (부산대학교) 유근택 (부산대학교) 이동현 (부산대학교) 박주용 (부산대학교) 박민혁 (부산대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2021년도 한국표면공학회 춘계학술대회
발행연도
2021.6
수록면
126 - 126 (1page)

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Fluorite 구조 기반의 HfO<SUB>2</SUB> 박막은 나노 미터 두께의 박막에서 우수한 강유전성 발현과 CMOS 공정 호환성을 바탕으로 logic-in memory, neuromorphic computing 등에 활용될 차세대 반도체 소자로써 활발히 연구되고 있다. HfO<SUB>2</SUB> 기반 박막의 조성, 두께 등을 제어할 경우 나타나는 반강유전성은 Built-in bias를 적절히 제어할 경우 강유전체기반 소자보다 더 낮은 동작전압을 가지는 차세대 반도체 소자로 활용이 가능하다.[1] 실제 반강유전성 HfO<SUB>2</SUB> 기반 박막을 실리콘을 채널로 하는 Ferroelectric Field-Effect-Transistor나 Ferroelectric Tunnel Junction소자에 활용하기 위해서는 실리콘 기판 위에서의 안정적인 반강유전성의 발현이 요구된다. 금속 전극과는 달리 실리콘 기판의 경우, 강유전체와 실리콘 사이의 계면에서 SiO<sub>x</sub> 계면층이 필연적으로 생성된다. 이로 인해 trap sites가 생겨 전하가 갇히는 등의 원인으로 계면 특성이 저하되며 SiO<SUB>2</SUB>의 낮은 유전율로 인하여 동작전압이 증가되는 문제점을 가지고 있어 필수적으로 해결 ... 전체 초록 보기

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