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반동균 (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실) 박왕희 (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실) 정복만 (인천대학교 전기공학과) 김준동 (인천대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제7호
발행연도
2017.7
수록면
417 - 422 (6page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.7.417

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MoS2-layer를 실리콘에 코팅하여, 고성능 광전소자를 개발하였다. MoS2-layer 를 p-Si 에 코팅하면, 자발적으로 다이오드가 형성되어, 전류의 정류특성이 확보된다. 본 연구에서는 매우 높은 정류비인 617의 값을 얻었다. 또한 MoS2-layer 는 광학성능이 매우 좋아서 넓은 파장대에서 80% 이상의 투과도를 보인다. 이러한 특성을 이용하여, 입사광에 대한 Photodetector 로 응용이 가능하다. 기존의 실리콘 소자는 장파장 신호에 대한 감지가 어려운데, MoS2-layer/p-Si 의 소자에서는 이러한 문제를 해결하고 매우 좋은 광반응을 보인다. 이러한 특성을 이용하게 되면 태양전지와 광센서를 포함한 다양한 광전소자에서의 성능을 크게 향상 시킬 수 있을 것으로 예상된다.

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