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이은규 (한밭대학교) 정소운 (한밭대학교) 방기수 (한밭대학교) 이승윤 (한밭대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제31권 제7호
발행연도
2018.11
수록면
437 - 442 (6page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.7.437

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This work reports the preparation of Al?Ti based oxide thin films and their optical properties. Although thetransmittance of a TiO2/Al2O3 bilayer structure was as high as 90% at wavelengths of 600 nm or larger, the reflectanceof the bilayer reached its minimum at wavelengths of around 360 nm. The transmittance of an 89-nm-thick TiO2 thinfilm rapidly increased and then decreased at a critical wavelength because of destructive interference. The wavelengthcorresponding to the reflectance minimum increased after an increase in TiO2 film thickness. The smooth surfacemorphology of the AlTiO thin film was retained up to a film thickness of 65 nm, and the transmittance of the film wasinversely proportional to film thickness, in accordance with the general tendency for optical films. The reflectance of theAlTiO film at visible light wavelengths was lower than that of the TiO2 film, which implies that the AlTiO film issuitable for applications as an optical thin film layer in semitransparent solar cells.

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