고압 중수소 어닐링을 통한 SiO2 절연체의 균일성 개선

김용식; 정대한; 박효준; 연주원; 길태현; 박준영

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김용식 (대림대학교 반도체학과) 정대한 (충북대학교) 박효준 (충북대학교) 연주원 (충북대학교) 길태현 (충북대학교) 박준영 (충북대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제37권 제2호

발행연도: 2024.3

수록면: 148 - 153 (6page)

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As complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) is scaled down to achieve higher chip density, thin-film layers have been deposited iteratively. The poor film uniformity resulting from deposition or chemical mechanical planarization (CMP) significantly affects chip yield. Therefore, the development of novel fabrication processes to enhance film uniformity is required. In this context, high-pressure deuterium annealing (HPDA) is proposed to reduce the surface roughness resulting from the CMP. The HPDA is carried out in a diluted deuterium atmosphere to achieve cost-effectiveness while maintaining high pressure. To confirm the effectiveness of HPDA, time-of-flight secondary-ion mass spectrometry (ToF-SIMS) and atomic force microscopy (AFM) are employed. It is confirmed that the absorbed deuterium gas facilitates the diffusion of silicon atoms, thereby reducing surface roughness.

#Chemical mechanical planarization (CMP) #Deuterium annealing #Dielectric #Surface roughness #Uniformity

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