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저자정보
김경화 (한국해양대학교) 이강석 (한국해양대학교) 안형수 (한국해양대학교) 전인준 (부산대학교) 조채룡 (부산대학교) 이상칠 (제주대학교) 김석환 (안동대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제70권 제4호
발행연도
2020.4
수록면
315 - 321 (7page)

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기판이 제거된 수직 구조 청색 발광 다이오드 제작을 위하여 혼합소스 수소화물기상 성장법 (HVPE)으로 두꺼운 Si-doped GaN (GaN:Si) 층과 AlGaN/GaN 이중-이종구조 (DH) 를 포함하는 에피층을 성장하였다. 두꺼운 GaN:Si 층이 에피층에 존재하는 관통 어긋나기 (TD)의 영향을 최소화하기 위해 덩어리 (bulk) 처럼 성장 시켰다. AlGaN/GaN 이중-이종구조는 두꺼운 GaN:Si 층 위에 연속적으로 성장되었으며, AlGaN/GaN 이중-이종구조와 GaN:Si 층 내의 TD 밀도는 전계방출 주사 전자 현미경 (FESEM) 과 투과 전자 현미경 (TEM) 으로 조사하였다. 그 결과 혼합소스 수소화물기상 성장법으로 기존의 사파이어 기판에 성장한 에피층과 비교하여 관통 어긋나기 밀도를 감소시키는 역할의 두꺼운 GaN:Si 에피층을 성장하여 수직 구조 발광 다이오드를 제작하는데 성공하였다.
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목차

I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 논의
IV. 결론
REFERENCES

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