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고집적화를 위한 Floating Gate NAND 개발과정에서 몇 차례 기술적 한계상황에 직면하였었지만, Air Gap, Double patterning, Multi level Cell, Error Correction Code 과 같은 breakthrough idea 을 활용하여 1Xnm까지 성공적인 scale down 을 하였고 10nm 까지도 바라보고 있지만, 10nm 미만으로는 적절한 방안을 찾지 못한 상황입니다. CTD 의 3D NAND Flash는 Aspect Ratio, Poly channel의 intrinsic 특성, Data 보존 능력 등 해결 해야 할 issue 들이 남아 있지만, F.G Flash 의 지난 20년간 Lesson learn 과 Band engineering, Channel Si, PUC 의 요소기술 개발 및 System algorithm 개발, QLC 개발 등을 통하여 F.G Flash 를 넘어 지속적인 Cost down 이 가능할 것입니다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Flash Memory Cell
Ⅲ. Floating Gate Flash 와 Scale-down
Ⅵ. CTD Flash & 3D Array 구조
Ⅴ. Summary
참고문헌
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